電子產(chǎn)品濺射鍍膜使用的靶材

電子產(chǎn)品濺射鍍膜使用的靶材通常有三種類(lèi)型：金屬靶材、合金靶材、化合物靶材。

磁控濺射鍍膜不均勻的成因

造成磁控濺射鍍膜不均勻的原因有很多，但把握好真空鍍膜機的正確操作，那么鍍膜成功的概率就會(huì )高很多。

工況參數對類(lèi)金剛石膜摩擦學(xué)性能的影響

采用非平衡磁控濺射技術(shù)在高速鋼基體上以C2H2為反應氣源制備了含氫類(lèi)金剛石(DLC)膜。

壓電陶瓷閥特性在反應濺射AlN參數設置中的應用

本文主要講述了壓電陶瓷閥特性在反應濺射AlN參數設置中的應用。

氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化速率

本文描述了氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化速率實(shí)驗情況。

氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化的溫度特性

本文講述了氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化的溫度特性。

氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化的遲滯特性

本文講述了氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化的遲滯特性。

壓電陶瓷閥在真空磁控反應濺射中的特性

在真空磁控濺射鍍膜線(xiàn)上, 采用PCV25型壓電陶瓷閥作為反應氣體流量輸出的驅動(dòng)元件。研究了不同環(huán)境溫度下壓電閥偏置電壓Vo對N2輸出流量Q的影響。

摻鉬氧化鋅薄膜的發(fā)光特性

使用磁控濺射法在石英基底上制備鉬摻雜氧化鋅薄膜。

不銹鋼雙極板表面Cr與Cr2N鍍層導電與耐蝕性研究

采用等離子體磁控濺射的方法在304不銹鋼雙極板表面沉積出致密均勻的Cr層和Cr2N層，研究了表面鍍層對不銹鋼雙極板導電和耐腐蝕性能的影響。

采用真空磁控反應濺射和沸水氧化法制備Al2O3增透膜

在玻璃基片上采用金屬Al 靶在濺射氣體Ar 和反應氣體O2 的混合氣體中，真空磁控濺射半透明的Al- Al2O3金屬陶瓷薄膜，再將沉積薄膜的玻璃基片浸入沸騰的去離子水中氧化，制備成陶瓷增透膜。

基于InGaN量子點(diǎn)的GaN蓋層生長(cháng)條件優(yōu)化

本文采用金屬有機物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)外延生長(cháng)有GaN 蓋層的InGaN 量子點(diǎn)，研究不同外延生長(cháng)條件下的GaN 蓋層表面形貌和光學(xué)性質(zhì)。

Sn摻雜ZnO膜的共濺射制備及性能研究

濺射氣壓對PI襯底CIGS薄膜太陽(yáng)電池Mo背電極的影響

本文采用直流磁控濺射方法在PI 上沉積Mo 背電極，研究不同濺射氣壓對Mo 薄膜電學(xué)特性、結構特性及對CIGS 薄膜太陽(yáng)電池的影響。

磁控濺射MoS2/W復合薄膜的微結構與摩擦學(xué)性能研究

采用磁控濺射法, 用純MoS2/ W 雙靶在模具鋼Cr12 和硅基片上濺射MoS2/ W 復合納米薄膜, 通過(guò)X 射線(xiàn)衍射儀、能譜儀、掃描電子顯微鏡對薄膜的成分和結構進(jìn)行分析。

Al-Sn共摻雜ZnO薄膜的結構與光電性能研究

在固定ZnO:Al(AZO) 靶濺射功率不變的條件下, 研究了Sn 靶濺射功率對ATZO 薄膜的結晶質(zhì)量、表面形貌、電學(xué)和光學(xué)性能的影響。

高功率脈沖磁控濺射電源的研制

本論文介紹了一種HPPMS高功率脈沖磁控濺射電源, 該電源由充電電源、斬波輸出兩部分組成, 給出了主電路框圖。

直流磁控濺射法在玻璃上沉積制備金屬鎳膜的研究

采用直流磁控濺射法在玻璃基板上制備的半透明鎳膜，用原子力顯微鏡(AFM)分析濺射功率對鎳膜的表面粗糙度的影響。

涂層結構對高鋁含量Ti1-xAlxN 涂層高溫氧化行為的影響

玻璃型鍍鋁二次表面鏡的制備及其評價(jià)試驗研究

介紹了蘭州空間技術(shù)物理研究所鍍鋁OSR 的制備以及及其部分評價(jià)試驗情況。