濺射氣壓對PI襯底CIGS薄膜太陽(yáng)電池Mo背電極的影響

2013-04-29 李志國 天津市光電子薄膜器件與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗室

　　柔性聚酰亞胺(PI)襯底Cu(In,Ga)Se2(簡(jiǎn)稱(chēng)CIGS 或銅銦鎵硒)薄膜太陽(yáng)電池具有高質(zhì)量功率比、適合卷對卷規�；a(chǎn)和成本低等優(yōu)勢，其商業(yè)發(fā)展前景受到廣泛關(guān)注。Mo 薄膜作為CIGS 薄膜電池的背電極，其熱膨脹系數低于PI 襯底，因此研究與之匹配的Mo 薄膜非常重要。

　　本文采用直流磁控濺射方法在PI 上沉積Mo 背電極，研究不同濺射氣壓對Mo 薄膜電學(xué)特性、結構特性及對CIGS 薄膜太陽(yáng)電池的影響。

　　結果表明，隨著(zhù)濺射氣壓提高，PI襯底上Mo 薄膜的殘余應力降低，表面裂紋明顯減少，但薄膜結晶質(zhì)量變差，電阻率明顯升高，附著(zhù)力下降。結合Mo 背電極對附著(zhù)力、殘余應力和電學(xué)特性的要求，最終制備出了適合PI襯底CIGS 薄膜太陽(yáng)電池的Mo 背電極，電池器件性能明顯提高。