氣體流量隨壓電陶瓷閥偏置電壓變化速率
2013-05-27 劉洪金 皇明太陽(yáng)能股份有限公司鍍膜研發(fā)中心
本真空磁控濺射系統中, 反應濺射沉積AlN 所需反應氣體N2 流量約為100 ml/ min。圖5 給出了不同環(huán)境溫度下, 壓電閥在N2 輸出流量為100 ml/min 附近, 流量Q 隨偏置電壓Vo 的變化曲線(xiàn), 壓電陶瓷閥環(huán)境溫度分別取10, 25 和40℃。由圖5 可見(jiàn), 環(huán)境溫度越高, Q 隨Vo 的變化曲線(xiàn)越陡, 即變化速率R 越大。溫度10℃ 時(shí)R 僅為13; 25 ℃ 時(shí)R 為27, 為10 ℃ 時(shí)的2.1 倍; 40 ℃時(shí)R 高達56, 為10 ℃ 時(shí)的4.3倍。即偏置電壓變化Vo 時(shí), 40 ℃ 時(shí)氣體的輸出變化量Q 約是10 ℃ 的4.3 倍。
圖5 氣體N2 輸出流量Q 在100 ml/ min 附近, Q 隨偏置電壓Vo 的變化曲線(xiàn)
試驗了相鄰鍍膜室的兩個(gè)PCV25 壓電閥A 和B, 在同一環(huán)境溫度25 ℃ 下的N2 輸出流量Q 與偏置電壓Vo 的關(guān)系。壓電閥A 和B 的Q-Vo 遲滯曲線(xiàn)形狀相同, 閾值電壓、飽和電壓略有差異, 這是壓電閥的個(gè)體差異導致的。N2 輸出流量100 ml/ min 附近時(shí), 兩壓電閥的Q 隨Vo 變化速率R 相同, 均為27。根據壓電閥的這個(gè)特性, 可以在某個(gè)鍍膜單元的閉環(huán)控制參數優(yōu)化完成后, 將其推廣應用至其他鍍膜單元。
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