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推薦磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法

由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點(diǎn)是靶材表面的磁場(chǎng)達不到正常磁控濺射時(shí)要求的磁場(chǎng)強度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強度。

  • 小靶材實(shí)現大平面基片均勻性膜層沉積的方法

    本文針對常規磁控濺射設備存在的上述問(wèn)題，提出了一種新的思路，設計改造了一種新型布局的磁控濺射設備，以解決小靶材濺射在較大基底沉積均勻性膜層的難題。

  • 中頻磁控濺射TiAlN薄膜的制備與性能研究

    本文采用中頻磁控濺射法，在硬質(zhì)合金YG6上制備了TiAlN薄膜， 通過(guò)XRD、SEM、EDS、體式顯微鏡、顯微硬度儀和劃痕儀分別對薄膜的相結構、表面與斷口形貌、成分以及主要性能進(jìn)行了測試分析。

  • 旋轉圓柱磁控濺射陰極設計和磁場(chǎng)強度分析計算

    本文應用ANSYS 有限元方法模擬分析單旋轉圓柱靶和孿生旋轉圓柱磁控濺射陰極表面磁場(chǎng)分布規律。

  • 濺射鍍膜機理

    濺射過(guò)程即為入射離子通過(guò)一系列碰撞進(jìn)行能量交換的過(guò)程，入射離子轉移到逸出的濺射原子上的能量大約只有原來(lái)能量的1%，大部分能量則通過(guò)級聯(lián)碰撞而消耗在靶的表面層中，并轉化為晶格的振動(dòng)。

  • 濺射鍍膜現象

    具有一定能量的離子入射到靶材表面時(shí)，入射離子與靶材中的原子和電子相互作用，出現一系列濺射鍍膜現象，其一是引起靶材表面的粒子發(fā)射，包括濺射原子或分子、二次電子發(fā)射、正負離子發(fā)射、吸附雜質(zhì)解吸和分解、光子

  • 鐵氧體表面耐高溫Ni-V/Ag復合金屬化薄膜的研究

    在現有研究的基礎上，提出了以磁控濺射N(xiāo)i-V/Ag復合層作為鐵氧體的金屬化膜層，進(jìn)一步將薄膜承受420℃高溫無(wú)鉛焊錫的時(shí)間提升到10s，并詳細研究了高溫下Ni-V/Ag膜層與焊錫的反應過(guò)程與金屬間化合物(IMC)。

  • 欠氧化氣氛下等離子體輔助脈沖直流磁控濺射高純度Al2O3薄膜

    本文首先采用中頻孿生靶非平衡閉合磁場(chǎng)脈沖直流反應磁控濺射方法，進(jìn)行了Al2O3薄膜的工藝研究，包括濺射電壓與氧流量的關(guān)系。在此基礎上，提出了射頻等離子體輔助濺射的方法，研究了射頻等離子體源功率與Al2O3光學(xué)性

  • 射頻磁控濺射法制備TiSiN納米復合涂層的結構與性能研究

    本文采用工業(yè)上較為常用的射頻磁控濺射工藝制備了TiSiN涂層，系統研究了不同濺射氣壓、不同基片溫度以及不同N2/Ar氣流比條件下TiSiN納米復合涂層的微觀(guān)結構與力學(xué)性能，并對TiSiN涂層的濺射工藝進(jìn)行優(yōu)化，以期為該涂

  • 鋁合金表面磁控濺射Cu膜的鍍制及其低溫釬焊性能研究

    Ti作為過(guò)渡層可改善膜基結合力，本文采用離子注入技術(shù)與磁控濺射鍍膜結合的方法對鋁合金進(jìn)行表面改性，主要考察了磁控濺射鍍膜中基體偏壓對薄膜沉積速率、表面形貌、相結構以及低溫釬焊性能的影響。

  • 影響真空濺射用射頻電源特性因素的研究

    本文主要研究了射頻電源的功率轉換效率和頻率穩定性的影響因素，分析了E 類(lèi)功率放大器的工作特性，推演了最大輸出功率;設計了射頻電源驅動(dòng)級電路，并對其進(jìn)行了實(shí)驗測試。

  • 氧摻雜對磁控濺射ZAO薄膜性能的影響

    本文使用可進(jìn)行較大面積鍍膜的濺射鍍膜線(xiàn)對玻璃基片進(jìn)行ZAO薄膜的制備，研究氧摻雜對ZAO薄膜性能的影響，驗證其對于實(shí)際生產(chǎn)的應用價(jià)值。

  • 磁控濺射納米復合涂層性能研究

    本文通過(guò)雙靶反應磁控濺射的方法制備得到了一系列Cu含量不同的A-lCu-N涂層，將Cu含量最高擴展到了17.0%。

  • 平面磁控濺射靶磁場(chǎng)的模擬優(yōu)化設計

    本文根據磁控濺射靶的特點(diǎn)，基于A(yíng)NSYS軟件模擬了二維磁控濺射靶磁場(chǎng)的分布，提出一種采用兩磁導片結構來(lái)改善磁控濺射靶面水平磁場(chǎng)分布的方法。

  • 孿生磁控濺射制備氮化鉻涂層的研究

    本文的主要目的是利用中頻磁控濺射技術(shù)優(yōu)勢制備CrNx涂層并研究氮氣流量對涂層結構、耐腐蝕等性能的影響。

  • 反應磁控濺射技術(shù)的發(fā)展情況及趨勢

    綜述了反應磁控濺射技術(shù)的發(fā)展情況。分析了模擬反應磁控濺射的“Berg”經(jīng)典模型;詳述了反應磁控濺射過(guò)程中遲滯效應和打火現象的產(chǎn)生原理及過(guò)程;分析了消除遲滯效應和打火現象的各種方法并提出個(gè)人的觀(guān)點(diǎn);展望了反應

  • 磁控濺射摻銅TiO2薄膜光學(xué)特性的分析

    本文采用了磁控濺射法制備Cu摻雜TiO2薄膜，分析了Cu 的摻雜量對TiO2薄膜吸光度，禁帶寬度的影響，探究Cu在TiO2薄膜中的形態(tài)特征。

  • 氮流量比對直流/射頻磁控濺射CrN涂層耐腐蝕性的影響

    本文采用線(xiàn)性極化曲線(xiàn)的方法計算極化電阻，并利用測得的動(dòng)態(tài)極化曲線(xiàn)獲得腐蝕電流icorr。采用Sirion場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)觀(guān)察涂層腐蝕前后的形貌，并測定涂層厚度。

  • XJPD-900磁控濺射設備的控制軟件編程及工藝試驗

    本文對XJPD-900磁控濺射生產(chǎn)線(xiàn)的控制系統進(jìn)行了設計，重點(diǎn)對應用PLC和iFix組態(tài)軟件實(shí)現工藝過(guò)程自動(dòng)控制以及EXCEL表格數據存儲等的程序做了設計分析，完成了整機的工藝試驗。

  • 雙靶共濺射TiAl系高溫耐磨薄膜制備與研究

    本實(shí)驗采用純金屬鋁和鈦作為雙靶，通過(guò)改變基體相對于靶材的濺射位置，在同一次濺射過(guò)程中，制備了一系列大范圍成份變化的Ti-Al系金屬間化合物薄膜。

  • 金屬/多晶鍺硅肖特基接觸特性的影響因素研究

    本文研究了幾種金屬在多晶鍺硅薄膜上的肖特基接觸特性。

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