濺射鍍膜
推薦磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法
由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點(diǎn)是靶材表面的磁場(chǎng)達不到正常磁控濺射時(shí)要求的磁場(chǎng)強度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強度。
-
半球形工件內表面濺射鍍膜的膜厚均勻性研究
本文分別建立了計算模型，將圓平面靶的濺射區域簡(jiǎn)化為線(xiàn)形圓環(huán)跑道，在靶材表面余弦發(fā)射、空間直線(xiàn)飛行的基本假設下，推導得到了各自的半球形工件內表面上的膜厚分布計算公式。
-
高頻半橋直流磁控濺射電源設計
穩定可靠的直流電源是直流磁控濺射鍍膜質(zhì)量的關(guān)鍵，本文采用開(kāi)關(guān)頻率為50 kHz 的半橋拓撲，對主回路結構和參數進(jìn)行設計。
-
直流磁控共濺射制備Zn-Sb 熱電薄膜的研究
本文選取純度為99.99%的Zn 和Sb 金屬靶作為靶材，采用直流磁控共濺射技術(shù)，制備Zn-Sb 合金熱電薄膜，研究不同熱處理條件下合成的Zn-Sb 化合物熱電薄膜的結構與熱電特性變化規律。
-
影響磁控濺射制備TiO2 薄膜性能的因素研究
從研究制備條件對Ti02薄膜的透射率及光學(xué)常數的影響出發(fā)，利用分光光度計測量薄膜的透射率，橢圓偏振光譜儀作為確定薄膜光學(xué)參數的測試儀器，研究了不同制備條件對Ti02薄膜光學(xué)特性的影響。
-
離子源對中頻反應濺射沉積AlN 薄膜結構和性能的影響
本文采用離子源輔助中頻反應磁控濺射技術(shù)沉積AlN 薄膜，通過(guò)中頻反應磁控濺射解決了因“靶中毒”引起的“打火”和沉積速率大幅度下降的問(wèn)題;同時(shí)利用離子源輔助沉積，進(jìn)一步提高離化率，從而提高所沉積薄膜的質(zhì)量。
-
高功率脈沖磁控濺射試驗平臺設計及放電特性研究
高功率脈沖磁控濺射(HPPMS)因其高離化率而得到廣泛關(guān)注，是目前的熱點(diǎn)研究方向，為此我們搭建了試驗平臺并對HPPMS 的放電特性進(jìn)行了研究。
-
磁控靶濺射沉積率的影響因素
濺射沉積率是表征成膜速度的參數，其沉積率高低除了與工作氣體的種類(lèi)與壓力、靶材種類(lèi)與“濺射刻蝕區“的面積大小、靶面溫度與靶面磁場(chǎng)強度、靶源與基片的間距等影響因素外。
真空資訊
熱門(mén)專(zhuān)題
閱讀排行
- 1輝光放電與等離子體-磁控濺射基本原理與工況
本文講解了磁控濺射鍍膜靶電源一文中磁控濺射基本原理與工況章節
- 2影響磁控靶濺射電壓的幾個(gè)因素
影響磁控靶濺射電壓的主要因素有：靶面磁場(chǎng)、靶材材質(zhì)、氣體壓強
- 3各種濺射鍍膜方法的原理及特點(diǎn)
濺射鍍膜有多種方式，其典型方式如本文所示，表中列出了各種濺射
- 4XJPD-900磁控濺射設備的控制軟件編程及工藝試驗
本文對XJPD-900磁控濺射生產(chǎn)線(xiàn)的控制系統進(jìn)行了設計，重點(diǎn)對應用
- 5Al-Sn共摻雜ZnO薄膜的結構與光電性能研究
在固定ZnO:Al(AZO) 靶濺射功率不變的條件下, 研究了Sn 靶濺射功
- 6磁控濺射及磁控濺射產(chǎn)生的條件-磁控濺射基本原理
本文講解了磁控濺射鍍膜靶電源一文中磁控濺射基本原理與工況章節
- 7磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法
由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點(diǎn)是靶材表面的磁場(chǎng)達不到正常磁控濺
- 8濺射鍍膜真空環(huán)境-磁控濺射基本原理與工況
本文講述了磁控濺射基本原理與工況中的濺射鍍膜真空環(huán)境。
- 9磁控濺射鐵磁性靶材存在的問(wèn)題
- 10常用的幾種塑料真空鍍膜材料
常用的幾種塑料真空鍍膜材料有：ABS塑料、聚酯、聚乙烯、聚氯乙