直流磁控濺射輝光等離子體的Langmuir靜電探針診斷

電子溫度隨著(zhù)離靶面距離增大而遞減;電子密度在徑向和軸向均存在波動(dòng);電子能量主要分布在0 eV～5 eV范圍內,高能電子占比例極少.

非平衡磁控濺射沉積TiN/Ti-O復合薄膜機械性能研究

利用非平衡磁控濺射設備,采用四種不同的TiN到Ti-O的過(guò)渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基體上制備了TiN/Ti-O薄膜。

濺射角度對氧化鉻薄膜性能結構的影響

硬質(zhì)涂層對工件表面改性已經(jīng)成為現代先進(jìn)制造加工行業(yè)越來(lái)越重視的工藝,工件一般為復雜外形,保證工件表面涂層性能結構的一致性尤為重要。

輔助離子束功率密度對透明塑料上室溫磁控濺射沉積ITO薄膜結構和形貌的影響

基于雙極脈沖磁控濺射復合離子束輔助沉積的新工藝,在透明塑料聚碳酸酯基片上,常溫制備了透明導電的銦錫氧化物(ITO)薄膜.重點(diǎn)研究了不同輔助離子束功率密度對ITO薄膜晶體結構和表面形貌的影響。

磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法

由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點(diǎn)是靶材表面的磁場(chǎng)達不到正常磁控濺射時(shí)要求的磁場(chǎng)強度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強度。

磁控濺射鐵磁性靶材存在的問(wèn)題

合金膜的濺射沉積方法

為使濺射系統所用靶的數量減少，盡量用一個(gè)靶就能濺射沉積制取符合成分及性能要求的合金薄膜，可以采用合金靶、復合鑲嵌靶、以及采用多靶濺射等。

非對稱(chēng)脈沖磁控濺射的工作原理

脈沖磁控濺射一般使用矩形波電壓，由于所用的脈沖波形是非對稱(chēng)性的，因此得名為非對稱(chēng)脈沖磁控濺射。

磁控濺射中電磁場(chǎng)分布二維模擬

本文采用計算機FORTRAN語(yǔ)言自主編程，通過(guò)建立通電線(xiàn)圈磁場(chǎng)的數學(xué)模型，對磁控濺射靶附近由通電線(xiàn)圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)分布進(jìn)行了二維數值模擬計算。

太陽(yáng)能選擇性吸收涂層中鋁靶拐點(diǎn)電壓的影響因素分析

射頻磁控濺射法ZnO薄膜制備工藝的優(yōu)化

在采用射頻磁控濺射在Si 和玻璃襯底上制備單層ZnO 薄膜時(shí)，薄膜會(huì )受到濺射功率、襯底溫度、氧氬比以及工作氣壓等的影響。本文中將詳細討論這些因素對ZnO薄膜晶體質(zhì)量，應力以及光學(xué)性能的影響。

氧分壓對直流磁控濺射IGZO薄膜特性的影響

本文采用直流磁控濺射技術(shù)，在室溫下通過(guò)改變氧分壓的工藝條件制備了IGZO 薄膜，系統性的分析了氧分壓對薄膜的物相結構、表面形貌、元素結合能及電學(xué)與光學(xué)等特性的影響。

沉積溫度對磁控濺射制備V-Al-Si-N硬質(zhì)涂層結構及性能的影響

本文利用磁控濺射的方法通過(guò)改變基片溫度制備了不同沉積溫度的V-Al-Si-N涂層，并利用X射線(xiàn)衍射(XRD) 、掃描電鏡(SEM) 、納米壓痕儀和摩擦磨損試驗機對涂層的結構及性能進(jìn)行了分析。

固體潤滑軸承用9Cr18不銹鋼離子注入與磁控濺射改性真空摩擦學(xué)研究

為了提高空間固體潤滑滾動(dòng)軸承耐磨壽命，采用全方位離子注入和磁控濺射技術(shù)對空間固體潤滑軸承用9Cr18材料進(jìn)行耐磨減摩表面改性研究。

偏壓對磁控濺射制備N(xiāo)i摻雜TiB2基涂層結構及力學(xué)性能的影響

本文采用中頻和射頻電源的雙靶磁控濺射設備通過(guò)改變基片偏壓制備了不同偏壓的TiB2-Ni涂層。對所制備的涂層進(jìn)行了結構和性能的研究，探討了偏壓對其生長(cháng)結構，以及硬度、斷裂韌性、膜基結合力和摩擦學(xué)等方面的性能。

高溫鋁液中TiAlN硬鍍層失效機理研究

本文以H13鋼基體上的磁控濺射TiAlN鍍層為研究對象，通過(guò)鍍層在高溫鋁液中長(cháng)時(shí)間浸蝕后對表面、截面形貌變化和成分分析等途徑，探討硬質(zhì)鍍層在高溫鋁液中的失效機理。

大曲率球形基底表面膜厚均勻性的實(shí)現

針對球形基底膜厚均勻性問(wèn)題，提出了一種新的思路，設計改造了一種新型布局的磁控濺射設備，以解決大曲率球形基底外表面膜層的均勻性問(wèn)題。

復合高功率脈沖磁控濺射放電等離子體特性

本文采用脈沖與直流電源并聯(lián)模式的復合HIPIMS，針對Ti、Cr靶研究脈沖電壓對復合HIPIMS 過(guò)程中的靶電壓、靶電流、電子密度(Ne)、電子溫度(Te)、等離子體電勢(Vs)以及基體電流等微觀(guān)參數的影響。

沉積時(shí)間對磁控濺射法制備寬禁帶半導體薄膜材料ZnS物性及光學(xué)性質(zhì)的影響

本文用磁控濺射法制備了ZnS薄膜，并對薄膜的物理性質(zhì)及光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了細致的研究。為ZnS薄膜材料的進(jìn)一步應用，提供了實(shí)驗依據。

不同相結構Ti33Al67靶材磁控濺射薄膜對比研究

本文研究了一種成分相同，而相結構完全不同的Ti33Al67靶材沉積薄膜的性能，從微觀(guān)角度探討了兩種靶材沉積薄膜性能產(chǎn)生差異的原因。