濺射鍍膜
推薦磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法
由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點(diǎn)是靶材表面的磁場(chǎng)達不到正常磁控濺射時(shí)要求的磁場(chǎng)強度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強度。
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共濺射法制備的Pt-C薄膜的微觀(guān)結構和電化學(xué)性能的研究
用共濺射的方法制備了Pt-C薄膜,薄膜由Pt納米粒子和非晶C組成。電子顯微鏡和X射線(xiàn)衍射的測試結果顯示Pt納米粒子鑲嵌在非晶C之中。
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脈沖激光沉積濺射工藝對CIGS薄膜成分和結構的影響
采用脈沖激光沉積濺射法在玻璃襯底上制備Cu-In-Ga預制膜,后經(jīng)硒化、退火處理,得到CIGS薄膜。采用X射線(xiàn)衍射儀表征了薄膜的晶體結構,采用掃描電子顯微鏡和能量散射譜觀(guān)察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光電子
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直流磁控濺射法低溫制備GZO:Ti薄膜及其光電性能研究
用直流磁控濺射法在玻璃襯底上成功制備出了鈦鎵共摻雜氧化鋅(GZO:Ti)透明導電薄膜,研究了濺射壓強和功率對GZO:Ti薄膜的微觀(guān)結構和光電性能的影響。
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基片溫度對磁控濺射沉積二氧化硅的影響
本文詳細地研究了基片溫度對磁控濺射沉積二氧化硅的影響,隨著(zhù)基片溫度的增加,濺射沉積速率下降明顯,薄膜的折射率也出現上升趨勢,薄膜也由低溫時(shí)的疏松粗糙發(fā)展為致密光滑。
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鈾表面非平衡磁控濺射離子鍍Ti基薄膜的組織結構與腐蝕性能
金屬鈾的化學(xué)性質(zhì)十分活潑,極易發(fā)生氧化腐蝕。本文采用磁過(guò)濾多弧離子鍍在金屬鈾表面制備Ti過(guò)渡層,然后采用非平衡磁控濺射離子鍍技術(shù)制備了Ti、TiN單層膜及Ti/TiN多層薄膜,以期改善基體的抗腐蝕性能。
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濺射氣壓對碳化釩薄膜微結構與力學(xué)性能的影響
采用碳化釩靶的磁控濺射方法在不同的Ar氣壓下制備了一系列碳化釩薄膜, 利用能量分析光譜儀, X射線(xiàn)衍射,掃描電子顯微鏡, 原子力顯微鏡和微力學(xué)探針研究了氣壓對薄膜成分、相組成、微結構以及力學(xué)性能的影響。
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高功率脈沖磁控濺射氬氮比對ZrN薄膜結構及性能的影響
采用高功率復合脈沖磁控濺射的方法(HPPMS)在不銹鋼基體上制備ZrN薄膜,對比DCMS方法制備的ZrN薄膜,得出HPPMS制備的薄膜表面更平整光滑、致密,既無(wú)空洞、又無(wú)大顆粒等缺陷。
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磁控濺射鍍膜膜厚均勻性設計方法
在現有的理論基礎之上，對濺射鍍膜的綜合設計方法進(jìn)行了初步的建立和研究，系統的建立可以采用“整體到部分，再到整體”這一動(dòng)態(tài)設計理念，不斷完善設計方法，并將設計方法分為鍍膜設備工程設計、鍍膜工藝設計和計算
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小圓平面靶磁控濺射鍍膜均勻性研究
從圓平面靶磁控濺射的原理出發(fā)，針對圓形平面靶面積小于基片面積的特點(diǎn)進(jìn)行分析，建立膜厚分布的數學(xué)模型，并利用計算機進(jìn)行模擬計算，目的在于探尋平面靶材面積小于基片面積時(shí)影響膜厚均勻性的因素
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磁控濺射法制備BiFeO3/CoFe2O4多鐵性復合薄膜及其鐵電鐵磁性研究
用磁控濺射法在Pt/TiO2/SiO2/Si 襯底上成功制備了BiFeO3 (BFO)/CoFe2O4（CFO）層狀結構磁電復合薄膜，測試結果顯示此磁電復合薄膜在室溫下同時(shí)存在鐵電性和鐵磁性
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