濺射鍍膜
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能量過(guò)濾磁控濺射技術(shù)室溫制備ITO膜的光電特性及其應用
本文利用該技術(shù)制備了TOLED器件的ITO陽(yáng)極,研究了ITO薄膜的結構、光學(xué)和電學(xué)性能,測試了TOLED的發(fā)光效率并與DMS 技術(shù)制備的器件作了對比。
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低溫等離子體輔助脈沖直流磁控濺射制備TiN薄膜
采用一種新型的等離子體輔助脈沖直流磁控濺射濺射沉積方法,在低溫狀態(tài)下制備了氮化鈦薄膜,并對氮化鈦薄膜進(jìn)行了表征,研究了等離子體源在薄膜制備過(guò)程中的作用。
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射頻磁控濺射法沉積SiC-Al薄膜的摩擦特性
通過(guò)使用雙靶位磁控濺射設備在Ti-6Al-4V合金上沉積了SiC-Al 薄膜,著(zhù)重研究了Al原子的濃度對SiC-Al薄膜的摩擦系數的影響以及Al中間層對界面強度的影響。
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直流磁控濺射中矩形平面靶刻蝕形貌的數值計算及優(yōu)化
本文通過(guò)在基片和靶材間加正向電場(chǎng),改變了電子的運動(dòng)軌跡和空間分布,優(yōu)化了矩形平面靶的刻蝕形貌,提高了靶材利用率。
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MgO/Au復合薄膜的反應射頻磁控濺射法制備及表面形貌研究
本文采用反應射頻磁控濺射法制備MgO/Au復合薄膜,比較了Mg靶和Au靶共濺射、分步濺射制備復合薄膜的表面成分及形貌,研究了濺射時(shí)襯底溫度和Ar/O2氣體流量比對薄膜晶粒分布、晶粒尺寸和結晶取向的影響。
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CSNS/RCS二極陶瓷真空盒磁控濺射鍍TiN薄膜研究進(jìn)展
為降低陶瓷表面的二次電子發(fā)射系數(SEY),采用直流磁控濺射的方法,對二極陶瓷真空盒內壁鍍氮化鈦(TiN)薄膜工藝進(jìn)行實(shí)驗研究。
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磁控濺射靶磁場(chǎng)的有限元模擬分析
本文應用COMSOL軟件對JGP450C型磁控濺射鍍膜機的圓平面靶表面磁感應強度進(jìn)行了模擬分析計算,得到了靶面水平磁感應強度較強、分布較均勻的磁鐵結構參數。
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制備工藝對磁控濺射Mo-N薄膜微結構和性能的影響
本文采用射頻磁控濺射的方法,通過(guò)改變反應環(huán)境中的Mo 靶功率、氬氮比、負偏壓等制備一系列的Mo-N 薄膜,利用X 射線(xiàn)衍射儀、納米壓痕儀、掃描電子顯微鏡和摩擦磨損測試儀對其相結構、顯微硬度和摩擦性能進(jìn)行研究。
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濺射靶材對TiAlN涂層形貌、結構和力學(xué)性能的影響
本文通過(guò)設計兩種靶材,分別是粉末冶金方法和真空熔煉方法制備的原子比為T(mén)i50Al50的合金靶材,在同一磁控濺射設備及同一濺射工藝條件下進(jìn)行鍍膜實(shí)驗,研究不同組織結構的Ti50Al50合金靶材對TiAlN涂層的組織結構和性
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Se離子束輔助沉積CIS過(guò)程的數值分析
通過(guò)研究離子束輔助沉積與傳統氣相原子沉積生成CIS 薄膜的過(guò)程,從擴散均勻性角度分析,對離子束的注入深度效應進(jìn)行數值計算。
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濺射膜電極與氧化鋅壓敏陶瓷的界面機制研究
利用濺射法制備半導體陶瓷表面的電極有著(zhù)廣闊的產(chǎn)業(yè)化前景,但關(guān)于濺射膜電極與陶瓷表面的界面機制研究尚鮮有報道。本文采用磁控濺射法在ZnO壓敏陶瓷表面制備了Cr+Cu電極,通過(guò)X射線(xiàn)光電子能譜等技術(shù)研究分析了Cr/Zn
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FeCoB-Al2O3軟磁顆粒膜磁特性研究
為了獲得軟磁顆粒膜,本實(shí)驗采用了更易控制薄膜成分的射頻雙靶共濺射制備了一系列的( Fe40Co40B20)1 - x( Al2O3)x軟磁顆粒膜。通過(guò)振動(dòng)樣品磁強計( VSM) 以及矢量網(wǎng)絡(luò )分析儀( VNA) 的測量,研究了基片轉速、濺射氣壓
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