輔助離子束功率密度對透明塑料上室溫磁控濺射沉積ITO薄膜結構和形貌的影響

　　摘　要：基于雙極脈沖磁控濺射復合離子束輔助沉積的新工藝,在透明塑料聚碳酸酯基片上,常溫制備了透明導電的銦錫氧化物(ITO)薄膜.重點(diǎn)研究了不同輔助離子束功率密度對ITO薄膜晶體結構和表面形貌的影響.結果表明:當離子束功率密度從52 mW/cm2逐漸增加到436 mW/cm2時(shí),薄膜逐漸從非晶態(tài)轉變?yōu)槲⒕�態(tài)、直至長(cháng)大為多晶態(tài),晶體呈現(222)擇優(yōu)取向;薄膜在非晶態(tài)時(shí)表面相對平坦,隨著(zhù)晶粒的長(cháng)大,表面均方根粗糙度Rq增加,并在離子束功率密度為436 mW/cm2時(shí)最大.離子束功率密度進(jìn)一步增大到680 mW/cm2時(shí),薄膜的晶體衍射峰強度變弱、峰的半高寬變大,表明晶粒尺寸變小;薄膜表面均方根粗糙度下降.離子束功率密度為252 mW/cm2,ITO薄膜具有最佳綜合光電性能.

　　關(guān)鍵詞：銦錫氧化物薄膜;室溫制備;離子束輔助磁控濺射;結構與形貌;透明塑料襯底

　　分類(lèi)號：TK514　文獻標識碼：A

　　文章編號：1672-7126(2008)增刊-001-04