O2氣流量對ZAO薄膜沉積速率的影響
圖1 是不同流量的O2氣對沉積速率的影響曲線(xiàn)。工藝參數為: 反應氣壓0.7 Pa，沉積溫度200℃，濺射功率140 W。由圖1 可以看出，隨著(zhù)氧氣流量的提高，濺射氣氛中氧分壓的逐漸增加，薄膜的生長(cháng)速率呈現出3種不同的變化狀態(tài)。在3～4 sccm 之間存在著(zhù)2 個(gè)拐點(diǎn)，在第1個(gè)拐點(diǎn)之前，沉積速率變化緩慢，為狀態(tài)1。在兩個(gè)拐點(diǎn)之間，沉積速率急劇下降，為狀態(tài)2。在第2 個(gè)拐點(diǎn)之后，沉積速率減小變緩,而且速率的變化可以用一條直線(xiàn)來(lái)描述，為狀態(tài)3。
圖1 O2 氣流量對ZAO 薄膜沉積速率的影響
我們根據反應濺射的機理分析[9]，Ar、O 兩種氣態(tài)粒子在稀薄氣氛中（真空條件下）相碰撞時(shí)，根據能量與動(dòng)量守恒的要求，不可能在氣相中耗散掉反應生成熱，所以就不可能反應生成ZAO 薄膜，那么ZAO 薄膜的生成過(guò)程必然是在固體表面進(jìn)行。在狀態(tài)1 時(shí)，當O2 氣分壓強很低而濺射速率還比較高時(shí)，ZAO 薄膜的合成發(fā)生在基片表面，膜的化學(xué)配比取決于Zn、Al 粒子和O+離子到達基片的相對速率，這種狀態(tài)我們稱(chēng)之為金屬模式。這種情況下，靶表面的反應情況是：靶表面ZAO 薄層被轟擊分解或剝離的速率遠大于它的生長(cháng)速率而使靶表面處于較清潔的金屬狀態(tài)，無(wú)沉積物出現而保持了同純Ar 濺射相似的沉積速率。濺射速率隨著(zhù)O2 氣分壓強增大進(jìn)入狀態(tài)2 后，逐漸下降，達到某一臨界值時(shí)，在靶表面形成ZAO 薄層速率超過(guò)分解速率。此時(shí)，沉積速率急劇下降。
下降的原因一部分是因為ZAO薄層的濺射產(chǎn)額比Zn、Al 金屬低，另一部分是因為ZAO 薄層的二次電子發(fā)射系數比Zn、Al 高，使得入射離子能量更多用于產(chǎn)生和加速二次電子，第三個(gè)原因是因為O+ 離子比Ar+ 離子的濺射效率低。這時(shí)靶面刻蝕區表面形成ZAO 薄層，并且面積逐漸增大而出現靶中毒的現象。當環(huán)形中毒區面積基本穩定后，沉積物與靶面附著(zhù)牢固，靶面已經(jīng)形成穩定的ZAO 薄層，此時(shí)濺射完全進(jìn)入“氧化物”模式即為狀態(tài)3，此時(shí)的濺射效果應該與直接濺射ZnO 靶的效果一樣。
其它相關(guān)文章：
