磁場(chǎng)后處理增強碳納米管場(chǎng)發(fā)射特性的研究

2014-02-20 林金陽(yáng) 福建工程學(xué)院電子電氣系

  采用磁場(chǎng)后處理法改變碳納米管的表面結構,增強了碳納米管場(chǎng)發(fā)射性能。采用SEM對樣品的處理前后的形貌進(jìn)行了表征,場(chǎng)發(fā)射的數據顯示,相對于,未經(jīng)過(guò)任何處理的碳納米管陰極,磁場(chǎng)后處理過(guò)的碳納米管冷陰極的開(kāi)啟電場(chǎng)(電流密度為0.1mA/cm2時(shí)的電場(chǎng))由1.05降低到0.73V/μm,場(chǎng)增強因子從1656增加到2045,場(chǎng)發(fā)射的亮度及均勻度均得到改善。相對其它后處理方法,磁場(chǎng)后處理法是一種簡(jiǎn)單、經(jīng)濟且有效的增強碳納米管的場(chǎng)發(fā)射特性的方法。

  碳納米管(CNT)因其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,使其在多個(gè)領(lǐng)域諸如納米電子器件、場(chǎng)發(fā)射、以及高強度的復合材料等有廣闊的應用前景。而定向CNT作為生長(cháng)方向一致的CNT,可以充分發(fā)揮CNT沿軸向優(yōu)異導熱和電荷傳輸性能,使得它具有更為廣闊的應用前景。

  CNT的定向與否將對場(chǎng)致發(fā)射性能產(chǎn)生重要的影響,所以人們爭相開(kāi)發(fā)具有定向排列的CNT管束,加快碳納米管-場(chǎng)發(fā)射顯示器(CNT-FED)的研究進(jìn)程。目前定向排列的CNT管束和陣列的制備方法基本上分為三類(lèi):其一是在直接原位生長(cháng)定向排列的CNT陣列,原位生長(cháng)的方法有很多,如化學(xué)氣相沉積(CVD)法、等離子CVD法、微波等離子體輔助化學(xué)氣相法等,其中盛雷梅等采用CVD法在金屬基底上生長(cháng)出垂直于基底的CNT陣列,并進(jìn)行場(chǎng)致性能測試,其開(kāi)啟電壓最低為1.25V/μm。第二類(lèi)是用模板進(jìn)行影響CNT的生長(cháng)方向,如陳星等利用多孔氧化鋁模板兼催化劑,制備出了定向的CNT陣列,并研究沉積溫度對沉積結果的影響。最后一類(lèi)就是利用已經(jīng)制備的CNT在物理場(chǎng)(力場(chǎng),強磁場(chǎng),電場(chǎng))中定向排列,這類(lèi)方法相對其他兩種,具有操作簡(jiǎn)單,成本低廉,不會(huì )在制備的過(guò)程中引入雜質(zhì)等優(yōu)點(diǎn),因此這一類(lèi)方法可能實(shí)現工業(yè)化,可以實(shí)現對CNT的操控。這一方法同樣適用CNT-FED中,比如三星公司就利用電場(chǎng)來(lái)使CNT定向,大幅度地提高了其場(chǎng)致發(fā)射性能,但是其具體技術(shù)沒(méi)有公開(kāi),人們無(wú)法獲知其具體參數。由于CNT的磁化率各向異性,徑向磁化率略大于其軸向磁化率,利用磁化率的各向異性,對CNT進(jìn)行定向,本文是將磁場(chǎng)處理應用于CNT陰極,考察其場(chǎng)致發(fā)射性能,并通過(guò)微結構等分析探索磁場(chǎng)作用機理。

1、實(shí)驗

  首先對CNT進(jìn)行超聲粉碎處理,達到短化分散的效果,過(guò)濾、去離子水沖洗后,加入異丙醇溶液和十二烷基苯磺酸鈉添加劑,進(jìn)行超聲分散,又進(jìn)行過(guò)濾、烘干。將烘干的碳納米管置入有異丙醇中,添加硝酸鎂載體離子,Mg2+濃度大概1.0mmol/L,配置好的電泳液在超聲機下,超聲4~5h,獲得充分分散的CNT電泳液。CNT的電泳采用直流式電泳,陰陽(yáng)極板間距700μm,電泳電流4mA,電泳時(shí)間9min。電泳電壓為8V。將電泳好的樣片在60℃恒溫爐中干燥1h,之后,于300℃燒結3min,蒸發(fā)去除有機溶劑等雜質(zhì)成分。燒結完后,將對碳納米管進(jìn)行磁場(chǎng)后處理,如示意圖1所示。其中磁鐵間距為8cm,經(jīng)測試中間的磁場(chǎng)強度可以達到0.5T,將電泳好的基片置于磁場(chǎng)之中,時(shí)間為4h,后進(jìn)行掃描電鏡(SEM)觀(guān)察和場(chǎng)致發(fā)射性能測試。

磁場(chǎng)后處理裝置圖

圖1 磁場(chǎng)后處理裝置圖

3、結論

  CNT陰極陣列的磁場(chǎng)后處理,通過(guò)磁控處理過(guò)程提高CNT陰極的場(chǎng)發(fā)射性能,并對處理前后的CNT陰極場(chǎng)發(fā)射各項性能進(jìn)行對比,分析了CNT陰極場(chǎng)發(fā)射性能得到改進(jìn)的原因:碳納米管的直立和管間間距的增大有利于場(chǎng)增強因子提高,磁化的過(guò)程是分子電流聚集、整合和提高電子活性的過(guò)程,經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)磁化處理后,碳納米管內部的電子變得更具活性,電子能級得到相應提高,使得部分電子可以在較低的電場(chǎng)作用下,提高進(jìn)行場(chǎng)致發(fā)射。場(chǎng)致發(fā)射測試也表明,經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)處理,可以明顯降低CNT的開(kāi)啟電場(chǎng),提高其亮度和均勻性,說(shuō)明采用磁場(chǎng)后處理來(lái)提高CNT的場(chǎng)致性能是簡(jiǎn)單易行,成本低廉的方法。